技能日益遍及，从云端服务器拓宽至消费级设备，对高档内存的需求继续攀升。鉴于此趋势，美光科技已将其高带宽内存（HBM）的悉数产能规划至2025年。美光科技的中国台湾事务负责人兼
Donghui Lu特别说到，大型言语模型的出现，对内存及存储解决方案提出了史无前例的需求。作为存储范畴的领军企业之一，美光科技彻底具有掌握这一增加机会的才干。虽然近期AI范畴的出资激增，大多数都用在新建支撑大型言语模型的数据中心，但这一根底设备仍在逐步完善中，估计需数年时刻才干全面成型。
美光科技估计，AI的下一波增加将源自其在智能手机、个人电脑等消费设备中的广泛使用。这一趋势将促进存储容量大幅度的进步，以更好地支撑AI使用的运转。Donghui Lu介绍称，HBM交融了先进封装技能，集成了前端（晶圆制作）与后端（封装和测验）工艺，为职业带来了新的应战。
在竞赛剧烈的存储商场中，企业研制与推出新产品的速度至关重要。Donghui Lu解说说，HBM的出产或许会对传统内存出产形成冲击，因每个HBM芯片都需求多个传统内存芯片，这或许会对全体职业产能构成压力。他着重，内存职业供需之间的奇妙平衡是亟待解决的中心问题，并正告称，出产过剩或许引发价格战，从而导致职业阑珊。
Donghui Lu还着重着重了中国台湾在美光AI事务中的中心位置，指出公司在中国台湾的开发团队与制作设备关于HBM3E的开发与出产具有无足轻重的效果。美光的HBM3E产品一般与台积电的CoWoS技能相结合，这种严密协作带来了明显优势。
鉴于极紫外光刻（EUV）技能关于进步存储芯片性能与密度的重要性，美光已决议推延在1α和1β节点的使用，转而优先重视性能与本钱效益。Donghui Lu指出，EUV设备本钱昂扬且技能杂乱，需求制作进程进行严重调整以习惯。美光的首要方针是以具有竞赛力的本钱出产高性能存储产品，推延选用EUV将有利于更有效地完成这一方针。
美光一向宣称，其8层和12层HBM3E产品的功耗比竞赛对手低30%。公司方案于2025年在中国台湾大规模出产选用EUV技能的1γ节点产品。此外，美光还方案在日本广岛工厂引进EUV技能，虽然时刻稍晚。
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